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日志

分享 三星正在改善1Gb MRAM寿命问题
2020-1-21 16:09
据报道三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器(eFlash)的嵌入式磁阻随机访问内存(eMRAM),容量为1Gb,测试芯片的优良率已达90%。 随着5G物联网时代的来临,存储器领域发展快速,而在这一领域,韩系厂商拥有着比较明显的优势。 MRAM 芯片是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性,可以兼做内 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|65 次阅读|0 个评论
分享 Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南
2020-1-21 16:04
自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器( STT-MRAM )是一种持久性存储技术,可利用各种工业标准接口提供性能,持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM产品,该产品利用称为JE-DDR4的JEDEC标准DDR4接口的变体,它包含了对完整系统支持所需的独特功能。本文将帮助工程师了解Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南 & ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|73 次阅读|0 个评论
分享 Everspin串口串行mram演示软件分析
2020-1-19 16:10
divEverspin在磁存储器设计,制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。在平面内和垂直磁隧道结(MTJ)STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。包括40nm,28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。生产基于180nm,130nm和90nm工艺技术 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|81 次阅读|0 个评论
分享 MRAM技术进入汽车应用
2020-1-14 12:00
在整个地址空间范围内读写各种类型的数据。通常MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比,当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。 与当今的DFLASH相比,未来的汽车动力总成控制器可能需要更快,更加强大的非易失性和保活内存。在非易失性存储器中使用MRAM可以显着提高时 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|94 次阅读|0 个评论
分享 stm32f103vct6外扩sram芯片
2020-1-8 15:59
STM32F103是一款高性价比、多功能的单片机,配备常用的32位单片机片外资源,基于ARM Cortex-M3的32位处理器芯片,片内具有256KB FLASH,48KB RAM ( 片上集成12Bit A/D、D/A、PWM、CAN、USB、SDIO、FSMC等资源)。是应用的较为广泛的一款单片机, 内置48KB RAM在产品设计过程中如需要外扩 SRAM 存储器,采用一款由VTI科技 ...
个人分类: SRAM|92 次阅读|0 个评论
分享 everspin展示28nm单机1Gb STT-MRAM芯片
2020-1-8 15:45
Everspin自成立长期以来一直是MRAM产品开发的领导者,向市场展示了其28nm单机1Gb STT-MRAM芯片。 everspin 在磁存储器设计,制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合,在平面内和垂直磁隧道结(MTJ)STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|79 次阅读|0 个评论
分享 航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器
2019-12-26 16:36
TAMU是由瑞典乌普萨拉的Ångström航空航天公司(ÅAC)开发的高级磁力计子系统。TAMU的目的是提供地球磁场的磁力计数据,以便与子画面观测相关。实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成:3轴地磁传感器,通过3D封装系统技术制造的MPU芯片,制造的4MbitMRAM(磁性随机存取存储器)芯片由EverspinTe ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|114 次阅读|0 个评论
分享 武汉新芯推出XM25QW非易失性spi nor flash芯片
2019-12-24 11:43
武汉新芯集成电路制造有限公司是国内紫光存储旗下一家领先的非易失性flash芯片存储供应商,武汉新芯宣布推出50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC。该产品系列支持低功耗宽电压工作范围,适用于物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用产品设计方案。 XM25QW xxC系列产品的读速在1.65V至3.6V电 ...
个人分类: flash|98 次阅读|0 个评论
分享 EVERSPIN非易失性存储器嵌入式技术
2019-12-20 16:53
相关研究指出,如果以嵌入式 MRAM 取代微控制器中的eFlash和SRAM,可节省高达90%的功耗;如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM,则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸,这些功率与面积成本优势将使MRAM成为边缘侧设备的有力竞争者。而相较于传统的NAND闪存,PCRAM或ReRAM存储级存储器更可提供超过10倍以上的存取 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|109 次阅读|0 个评论
分享 everspin自旋转矩MRAM技术
2019-12-19 15:07
MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成:自由层(free layer),固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。MRAM 是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。存储器读取电路是通过加载相同的电 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|568 次阅读|0 个评论 热度 10
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